位错阵列对Mg-Gd-Y-Zr合金析出行为的影响

作者：油超; 刘楚明; 万迎春^*; 唐蓓; 王必正; 高永浩; 蒋树农; 张高龙; 韩修柱

来源：热加工工艺, 2020, 49(12): 109-118.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.20190740

• 微观组织
• Mg-Gd-Y-Zr合金
• 位错阵列
• 时效处理
• 析出相

采用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等设备研究了Mg-9.5Gd-3.8Y-0.6Zr合金在单向锤锻以及265℃人工时效后的显微组织。结果表明:在440℃锤锻后的Mg-Gd-Y-Zr合金中出现了大量由平行排列的短位错组成的位错阵列。这些位错阵列在晶粒内部具有近似相同的取向,彼此之间的间距约为0.3～1.4μm。由于位错阵列是高储能、大畸变区域,在后续时效过程中有诱导第二相析出作用。人工时效时,β’相会优先在位错阵列上形核和长大,取向相同且均匀的分布在位错阵列上,形成析出相链。高温时效下溶质原子扩散加剧,位错阵列会对周围的稀土溶质原子产生强烈的吸引,导致沿着析出相链形成无沉淀析出区域(PFZ)。

• 单位
  中南大学; 北京空间飞行器总体设计部; 天津航天机电设备研究所