富铅配料的PbI_2晶体生长与性能表征

作者：朱兴华; 赵北君; 朱世富; 金应荣; 向安平; 魏昭荣

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (06): 898-901.

• PbI2晶体
• 生长工艺
• XRD分析
• IR透过率
• 禁带宽度
• 能谱特性 PbI2 crystal
• growth craft
• XRD analysis
• IR transmission
• band gap
• energy spectrum characteristics

以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400～1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am59.5keVγ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV.

• 单位
  四川大学; 成都信息工程大学; 材料科学与工程学院; 西华大学