Si(100)衬底对ZnO纳米线阵列生长方向的控制作用

作者：唐斌; 邓宏; 税正伟; 张强; 郝昕

来源：微纳电子技术, 2007, (03): 125-128.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2007.03.004

• ZnO纳米线
• 外延生长
• 失配度
• V-L-S机理 ZnO nanowires
• epitaxial growth
• mismatch
• vapor-liquid-solid(V-L-S)mechanism

采用热分解ZnO粉末法,以Au为催化剂,在Si(100)衬底上外延生长了ZnO纳米线阵列。用扫描电子显微镜(SEM)分析表明:ZnO纳米线的直径在100nm左右,长度约3μm,与衬底表面的夹角约为70.5°,纳米线具有四个特定的倾斜方向A,B,C,D。X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO(0002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿C轴择优生长。结合Si与ZnO的晶格结构特征,理论研究得出ZnO纳米线与Si基片的晶格匹配关系为:[0001]_(ZnO)∥[114]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[1■4]_(Si),[0001]_(ZnO)∥[■1...

• 单位
  西南石油大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学