摘要
针对先进封装领域中LED芯片电极定位问题,提出一种亚像素级别的电极定位方法。根据LED芯片实际的形状信息,利用霍夫变换检测图中的类圆区域,为了避免霍夫变换人工调参带来的不确定性和麻烦,对类圆区域提取HOG特征,引入支持向量机(SVM)模型对HOG特征进行分类筛选,得到目标电极区域。用Canny算子对二值化后的目标ROI区域提取像素级边缘;然后通过Zernike正交矩计算像素级边缘点的边缘参数,得到亚像素边缘点集;最后通过最小二乘法拟合亚像素边缘点得到电极区域特征圆,定位电极的中心位置。实验表明,本算法拟合直径与电极实际直径最大相差3.23μm,拟合中心达到亚像素级别精度,算法平均运行时间9.34 ms,符合先进封装设备高速高精度的要求。
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