摘要
本发明公开了一种基于零栅偏压的氧化镓基太阳光盲区探测器,包括:衬底;氧化镓纳米膜,位于衬底的上表面中段,其在太阳光盲区探测器的制备过程中经过了氧气退火处理;源电极和漏电极,分别位于衬底的上表面的氧化镓纳米膜两侧并搭接氧化镓纳米膜;钝化层,覆盖在氧化镓纳米膜的上表面,从钝化层的上表面中部向下刻蚀有深至氧化镓纳米膜内部的栅极凹槽;栅介质,覆盖栅极凹槽的表面以及钝化层的上表面;栅电极,覆盖在栅极凹槽内以及两侧的栅介质上方,形成栅电极的栅金属的厚度为14nm±4nm,以使太阳光盲区的光波能够穿过,栅电极的偏置电压的设计值为0V。本发明提供的太阳光盲区探测器的功耗较低。
- 单位