BESⅢ漂移室全长模型的建造及基于全长模型的BESⅢ漂移室电子学的测试(英文)

作者：秦中华; 严志康; 陈元柏; 伍灵慧; 刘建北; 陈昌; 徐美杭; 王岚; 马骁妍; 金艳; 刘荣光; 唐晓; 张桂芳; 朱启明; 盛华义; 朱科军

来源：中国物理C, 2007, (04): 371-376.

• BESⅢ漂移室
• 全长模型
• 电子学

建造了BESⅢ漂移室全长模型．在气体密封,高压供给及前端电子学安装方面为BESⅢ漂移室的成功建造积累了经验．另外,在全长模型上对BESⅢ漂移室电子学进行了测试,包括噪声,漂移时间测量,电荷测量,以及电子学增益等方面．测试的最终结果显示了BESⅢ漂移室电子学具有很好的性能,能够满足它们的设计要求．

• 单位
  湖南大学; 中国科学院; 中国科学院高能物理研究所; 中国科学院大学