摘要
通过共沉淀法制备了红色荧光粉Gd2-xEux(MoO4)3,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱对所制备的样品进行结构表征分析,讨论了不同掺杂量下合成的荧光材料的发光性质。研究结果表明:所制备的Gd2-xEux(MoO4)3红色荧光粉的三处激发峰分别位于394,465,534 nm。发射光谱中在589 nm和613 nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于613 nm左右,与Eu3 的5D0→7F2跃迁对应。随着Eu3 掺杂量的增加,所合成的荧光粉的发光强度逐渐增强。在三组实验结果中,Gd1.4Eu0.6(MoO4)3(x=0.6)的发光强度最强。
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