精准的温度控制是IC外延的关键,基于8英寸离子注入片,对影响单片外延炉温度的关键因素进行了研究。实验结果表明改变OFFSET参数,外延炉边缘温度随△T同步变化,中心和R/2处温度没有影响;中心热电偶安装位置每降低254μm,外延炉温度整体升高10℃;异常PID参数设置导致的升温曲线过冲,影响外延炉实际温度。实验数据量化了相关参数与外延炉温度变化的对应关系,为IC外延产品的温度管控提供了依据,提升了单片硅外延平台的标准化和产业化水平。
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