基于场效应晶体管磁场传感器研究

作者：祝冉冉; 张玉; 徐礼磊

来源：电子世界, 2020, (21): 37-38.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.21.017

<正>磁场传感器广泛应用于生产与生活中各个领域,本文介绍了一种典型的基于场效应晶体管的磁场传感器(Mag FET),分析了其基本结构,并讨论了主要参数、器件结构、组成材料对相对灵敏度等主要性能的影响机理;重点介绍了Ga N基基于HEMT结构的磁场传感器(Mag HEMT),及利用仿真软件对器件进行优化进而进一步提高相对灵敏度。

• 单位
  南京邮电大学