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摘要
对激活硅(Si)晶圆中高能注入磷(P)的激光退火方法展开研究。采用的P离子注入能量为4.8 MeV,在Si中的注入深度可达6μm。分别采用单绿激光(515 nm)、绿激光(515 nm)加红外激光(808 nm)以及单红外激光(808 nm)退火。结果显示,含绿激光退火方法会导致被辐照的Si表面熔融,单绿激光退火的激活深度只有0.5μm,而辅以红外激光激活深度明显增加,整个注入深度内的杂质均可被激活,激活深度至少6μm。而采用单红外激光退火的样品,同样可以激活整个注入深度内的杂质,同时还能保持样品表面形貌不变。这主要是因为红外激光在Si中透射深度较大,退火导致的温度场在材料内部的梯度较小,可以在不引起样品表面熔融的情况下实现更大的激活深度,因此红外激光是深注入杂质激活的首选。
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