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摘要
给出低噪声放大器(LNA)设计策略,即使在非常低的电源电压下设计的LNA也可以取得卓越的性能。在高电源电压下,漏极电导非线性可以忽略,但是在低电源电压下,漏极电导非线性对LNA线性度的影响不可忽略。因而,采用多栅晶体管技术线性化跨导,并且利用LC折叠共源共栅结构来得到高的漏极电导线性度。基于0.13μm CMOS工艺对所提出的900 MHz LNA进行设计,测试结果表明,在0.6 V电源供电,1.26 MW功耗消耗下,LNA取得了15 dB的增益,1.74 dB的噪声系数,3.8 dBm的输入三阶截止点。
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