600V 4H-SiC p+槽VDMOS雪崩耐量的仿真分析

作者：高秀秀; 李诚瞻; 齐放; 戴小平

来源：电子技术与软件工程, 2021, (09): 71-75.

• p+区槽
• 深p+区
• 场限环间距
• 雪崩耐量

本文为了优化4H-Si CVDMOS的雪崩耐量,提出了一种新型的p+槽和深p+结合的4H-Si CVDMOS,利用TCAD仿真揭示了第一个场限环间距、p+槽的尺寸和深p+区的掺杂分布对VDMOS击穿和非箝位感性开关特性的影响规律。仿真结果表明,与传统结构相比,本文介绍的p+槽VDMOS第一根环间距小于1.3μm、p+区结深大于1.1μm、峰值浓度为5×1019cm-3±20%时,击穿位置由主结转移到有源区p+拐角处,雪崩耐量密度提高了6.1J/cm2。