高亮度Micro-LED外延和芯片制备

作者：陈志忠; 康香宁; 陈伟华; 席鑫; 焦飞; 王琦; 张国义; 沈波

来源：微纳电子与智能制造, 2021, 3(03): 8-22.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/TN.2021.03.008

• 微米LED
• 显示
• 外延
• 芯片
• 外量子效率
• 注入电流密度
• 红光LED

微米LED(Micro-LED)是指尺寸在50μm以下，去除外延衬底的LED，相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率，低能耗等优势。本文首先介绍了Micro-LED外延和芯片制备中存在的主要问题。接着使用ABC模型以及载流子泄露模型分析了小电流密度下的Micro-LED外量子效率低的原因，给出了目前国际上解决这一问题的主要技术途径。在Micro-LED外延技术上重点介绍了NPSS外延Micro-LED的优势以及目前NPSS的制备、外延GaN的进展情况。在芯片制备上，则介绍了Micro-LED微纳出光结构，多芯片的高色域混光技术，AlInGaP红光，氮化物红光以及量子点激发的红光路线。最后讨论了Micro-LED外延和芯片当前的现状和未来的发展趋势。

• 单位
  北京大学东莞光电研究院; 北京大学