SPS法制备Si/Al电子封装材料研究

作者：刘芳; 常庆明; 孙泽; 刘安权

来源：热加工工艺, 2020, 49(06): 77-84.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.20152483

• Si/Al电子封装材料
• SPS技术
• 热膨胀系数
• 热导率

采用放电等离子烧结(SPS)技术+粉末冶金法来制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料。通过测定和对比不同SPS烧结工艺参数下的电子封装材料的性能,分析工艺参数(烧结压力、烧结温度、Si含量)对烧结样性能(致密度、热导率、热膨胀系数)的影响规律,探讨其影响机制。结果表明:控制烧结温度为550℃,烧结压力48MPa,Si含量为50vol%可制备制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料,其致密度可达96%,热导率可达120W/(m·K),热膨胀系数可达11 mm/K。

• 单位
  武汉科技大学