WOx基忆阻器的信息存储及神经突触仿生研究

作者：承艳坤; 林亚; 王中强; 徐海阳^*; 刘益春

来源：微纳电子与智能制造, 2019, 1(04): 112-120.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.000035

• WOx
• 电阻转变
• 神经突触仿生
• 人工神经网络应用

忆阻器因其具有独特的非线性电学特性,在高密度信息存储、神经突触仿生等领域具有巨大的应用潜力。氧化钨(WOx)材料具有氧离子/空位易于调控的特性,适合发展高稳定性忆阻器件,是一种典型的忆阻材料。综述了WOx薄膜作为转变层的忆阻器件发展现状,主要包括其在阻变信息存储及神经突触仿生等领域的应用。一方面,阐述了数字型忆阻器的阻变特性及其物理机制;另一方面,介绍了模拟型忆阻器件的构筑及其仿生神经突触学习功能,包括非线性传输特性、长时/短时突触可塑性等。此外,介绍了一种数字-模拟混合型人工忆阻神经网络,可用于图像识别且速度和精度连续可调。

• 单位
  物理学院; 东北师范大学