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摘要
利用Sentaurus TCAD仿真软件，建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明，轰击位置在漏极且入射角呈120°时，器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离子轰击，研究了不同模拟方式下电路响应对SET波形的影响，指出了采用双指数电流源在SPICE电路中模拟的不准确性。采用MIX模型探究了器件结构及电路环境对SET波形的影响。结果表明，LET能量、栅极长度、轨电压和负载电容都会对SET波形脉宽及平台电流大小产生显著影响，说明了建立SET模拟波形时须综合考虑这些因素。
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单位电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室
