通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和La、Nd掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明,ZnO薄膜具有c轴择优生长,La、Nd掺杂ZnO薄膜为纳米多晶薄膜。AFM观测,La、Nd掺杂ZnO薄膜表面形貌较为粗糙。从薄膜的室温光致光谱中看到,所有薄膜都出现了395nm的强紫光峰和495nm的弱绿光峰,La掺杂ZnO薄膜的峰强度增大,Nd掺杂ZnO薄膜的峰强度减弱,分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因。
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