SiC-MOSFET在地铁牵引系统中的应用研究

作者：马法运; 毕京斌; 夏猛; 李华

来源：电力电子技术, 2020, 54(10): 27-35.

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 地铁
• 牵引系统

随着材料科学的进步,碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已可以实现高压、高功率运行。相比于传统硅(Si)材料,SiC材料具备低开关损耗、低导通电阻、宽禁带及高热导率。使用SiC-MOSFET代替传统Si-绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件,可降低地铁牵引逆变器(INV-BOX)的体积、重量,实现更高的功率密度。通过对SiC-MOSFET模型的分析,着重解决SiC-MOSFET器件的高频驱动问题及在高功率运行过程中产生的电磁干扰问题,为下一步SiC-MOSFET的批量运用提供技术积累。

• 单位
  中车青岛四方车辆研究所有限公司