稀土离子掺杂AlN薄膜发光材料的研究进展

作者：陈飞飞; 王晓丹^*; 李祥; 曾雄辉

来源：功能材料, 2018, 49(09): 9056-9060.

• 氮化铝
• 稀土离子
• 发光特性
• 器件

纤锌矿结构氮化铝(AlN)是一种典型的直接宽禁带化合物半导体,稀土离子掺入后可作为发光材料应用在显示、照明等众多领域。对稀土掺杂氮化铝薄膜的制备方法,结构损伤、发光特性、器件研究等进行了综述,并着重总结了影响发光性能的因素。最后对该研究方向进行了展望。

• 单位
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 数理学院; 苏州科技大学