摘要

通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlOx/SiNx双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高质量的AlOx薄膜和SiNx薄膜,AlOx薄膜生长速度达到了180nm/min,SiNx薄膜生长速度达到了135nm/min;经过AlOx/SiNx双层薄膜钝化的P型单晶硅有效少子寿命达到了2300μs,且经过800℃产线烧结工序,少子寿命下降幅度很低,热稳定性优异。

  • 单位
    中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司; 自动化学院; 东北大学

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