适用于无引线封装的SOI压力敏感芯片总体结构

作者：李村; 杨鑫婉; 赵玉龙^*; 程鑫; 田雷

来源：中国测试, 2020, 46(12): 54-59.

• 耐高温
• SOI
• 压力传感器
• 无引线封装
• MEMS
• 压阻效应

无引线封装技术能够将采用SOI技术的MEMS压力传感器的工作温度提高到300℃以上,解决传统充油封装无法耐受高温的问题,然而,无引线封装亦对SOI压力敏感芯片结构提出新的挑战。为应对此问题,该文提出适用于无引线封装的压力敏感芯片总体结构,主要研究压敏电阻掺杂浓度选择、重掺杂引线盘和金属点电极、键合玻璃结构、硅玻键合静电密封环等内容。通过大面积重掺杂的引线盘及金属点电极的设计解决硅-玻璃在电路器件层的静电键合问题。在键合玻璃上设计通孔,其位置对应金属点电极,解决电极厚度对键合的影响问题,同时实现欧姆接触。设计静电密封环结构,解决压力敏感膜片及测量电路的密封问题。最后,研制适用于无引线封装的SOI压力敏感芯片样片,证明该文压力敏感芯片总体结构有效。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十九研究所; 西安交通大学