摘要

GaN器件具备更快的开关速度,可以降低噪音,显著减小伺服驱动器体积,但电磁干扰(EMI)问题更加突出。采用随机载波频率调制策略(RCFPWM)可有效抑制EMI,但载波频率随机化后使转矩脉动更为剧烈。因此,提出一种基于Markov链的混合载波频率调制策略(Markov-HCFPWM),采用混合载波频率调制减小相邻开关周期的载波频率差值,采用Markov链使局部平均载波频率接近期望值。仿真和试验结果表明,所提策略相较RCFPWM策略在有效抑制EMI的前提下也可减小转矩脉动。