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摘要
随着高压直流输电技术的发展，高压大功率IGBT器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而，在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中，器件内部局部放电现象乃至击穿现象频繁发生，给器件绝缘设计带来巨大挑战。要想实现良好器件绝缘设计，就需要获得器件内部的电场分布，因此实现器件内部电场的准确计算至关重要。本文全面回顾了器件内部绝缘结构的建模和计算方法的发展历程，从封装绝缘电场计算、芯片绝缘电场计算以及芯片和封装绝缘耦合电场计算三个方面介绍了相关研究的发展历程、适用范围以及相应的不足，最后展望了未来器件内绝缘结构电场计算的发展方向。
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单位华北电力大学; 新能源电力系统国家重点实验室
