一步电沉积法制备铜铟硫薄膜的研究

作者：刘红娟; 汪雷; 杨德仁; 杨华; 王子奇

来源：人工晶体学报, 2010, (03): 573-577.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.03.041

• CIS薄膜
• 一步电沉积
• Cu/In比
• 退火 CIS thin films
• one-step electrodeposition
• Cu/In ratio
• annealing

本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响。研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47eV。

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学