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摘要
InGaN因其可调直接带隙的物理性质被广泛应用于发光器件和太阳能电池领域，高质量生长高In组分InGaN以提高器件性能一直是研究热点。应用第一性原理方法研究了双轴应变对GaN(000■)表面In原子的吸附和扩散的影响。计算结果表明，拉伸应变和压缩应变下，In原子的物理行为发生显著变化并且呈现不同特性。研究结果为深入理解双轴应变对InGaN生长的影响提供了理论基础，并且为高质量生长In Ga N提供理论指导。
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单位江西省光电子与通信重点实验室; 江西科技师范大学
