不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响

作者：刘涛

来源：商洛学院学报, 2017, 31(02): 13-16+79.

DOI：10.13440/j.slxy.1674-0033.2017.02.004

• 溶胶-凝胶
• Sn掺杂ZnO（SZO）薄膜
• 掺杂浓度
• 光电性能

采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火（10-2Pa）、低真空退火（1 Pa）和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10-2Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。

• 单位
  商洛学院