一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计

作者：张黎莉; 邱一武; 殷亚楠; 王韬; 周昕杰

来源：电子与封装, 2023, 23(05): 55-61.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0051

• GaN HEMT
• 基准电压源
• 温度稳定性

基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势，GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中，基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺，提出了一种GaN基准电压源的设计方案。Cadence Spectre仿真结果显示，该GaN基准电压源在-40～150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出，温度系数为3.7×10-6/℃。在室温27℃下，当电源电压由5 V增至20 V时，输出电压的线性灵敏度为0.13%/V。该GaN基准电压源具有高温度稳定性，后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所