量子点器件技术广泛应用于量子计算和光电器件上.成核位置的均匀性、有序性和尺寸一致性，可以有效提高光电器件性能.为了实现阵列量子点的可控性，本文采用湿法刻蚀制备图形化衬底，理论上解释了铟原子在图形化衬底上成核现象，产生有序的量子点分布特征，发现图形衬底的缺陷诱导在平台边缘和沟壑边缘成核，形成较大的量子点.在Stranski-Krastanow模式下图形衬底制备多周期量子点，发现多周期生长可以弱化台阶结构对量子点分布的限制作用.
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