高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

作者：马阔; 乔明^*; 周锌; 王卓

来源：电子与封装, 2020, 20(06): 60-64.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0609

• 总剂量辐射
• SOI LDMOS
• 击穿电压
• 阈值电压

研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化,并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究,分析器件性能退化的原因。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室