一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计

作者：卢正威; 苏永波; 甄文祥; 丁武昌; 魏浩淼; 曹书睿; 丁健君; 金智

来源：微电子学, 2023, 53(05): 807-813.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230055

• 功率放大器
• 磷化铟
• DHBT
• MMIC

设计了一种中心频率为75 GHz的单级MMIC功率放大器，基于0.8μm InP DHBT器件制造，该器件f_t/fmax为171/250 GHz。电路采用两层共基堆叠（CB Stack）结构，其中下层共基偏置采用基极直接接地，输入端发射极采用-0.96 V负压供电的方式，偏置电压Vc2为4 V。为了提高输出功率，上下两层器件进行了四指并联设计。此外，采用同样器件设计了另外一款下层共射的传统Stack结构电路。通过大信号仿真对CB Stack与国际上部分先进工艺下InP基的传统Stack结构电路性能进行对比，CB Stack结构在增益和峰值PAE上都比传统Stack有更好的表现。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所