一款高增益宽带低噪声放大器的设计

作者：张博; 张帅^*; 吴昊谦

来源：电子元件与材料, 2022, 41(03): 266-272.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1726

• 增益平坦度
• 共源共栅
• 负反馈
• 电流复用

采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺设计了一款0.5～5 GHz高增益宽带低噪声放大器芯片。该放大器采用三级共源结构，运用负反馈技术有效地进行了输入输出阻抗匹配，针对高频增益不足问题，在共栅晶体管的栅极到地之间增加栅极电容，提高了高频增益，改善了增益平坦度，拓展了带宽。同时，放大器前两级应用电流复用技术，大大降低了电路功耗。仿真结果表明：在工作频带内，最大增益可达36.6 dB,增益平坦度为±0.4 dB,输入输出回波损耗均小于-10 dB,噪声系数小于0.9 dB,输出功率1 dB压缩点最大可达15.4 dBm, OIP3最高可达34.1 dBm,芯片版图尺寸为0.65 mm×0.87 mm。

• 单位
  电子工程学院; 西安邮电大学