CVD法生长单层二硒化钼及二硫化锡

作者：李肖肖

来源：化工技术与开发, 2019, 48(12): 25-30.

• 二硒化钼
• 二硫化锡
• 化学气相沉积
• 光电性能

二维(2D)材料由于其独特的结构和优异的光电特性,有望用于下一代半导体。二维材料的大规模高质量制备仍然是研究热点之一。本文采用化学气相沉积法(CVD),合成了单层MoSe2和薄层SnS2,并研究了其光电性能。合成的单层MoSe2面积大,分散均匀,晶体质量好。基于MoSe2的FET表现出优异的电子传输性能。同时,在云母片上合成了薄层SnS2,SnS2连续薄膜上分散有少层的SnS2薄片。研究了SnS2薄片的光电性能,其场效应开/关电流比达到102,同时表现出良好的光响应性能。

• 单位
  温州大学; 化学与材料工程学院