中空Cu7S4纳米立方的制备及其电化学电容性能

作者:汪翔; 陈新; 周王帆; 李顺英
来源:材料科学与工程学报, 2017, 35(04): 542-547.
DOI:10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2017.04.006

摘要

本文以化学沉淀法制备出立方体Cu2O,以Cu2O为模板用水热离子交换法制备出纳米Cu7S4。利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对Cu7S4进行测试,结果显示Cu7S4具有中空立方体结构,平均尺寸在550nm左右。使用三电极体系,采用循环伏安法、恒流充放电、电化学阻抗谱和循环稳定性分析研究了Cu7S4的电化学性能。测试结果表明,当电流密度为1A·g-1时,Cu7S4的比电容为275F·g-1。在电流密度为4A·g-1时,Cu7S4循环1000次仍能保留94.8%的比电容,展示出良好的循环性能。

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