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摘要
本发明公开了一种基于P+型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法,主要解决现有技术击穿电压较低,可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5),势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8),势垒层(5)中的阳极下方1～3μm长度内注有Mg离子,形成P+型保护环(6),该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有P+型保护环,降低了阳极下方边缘电场峰值,提高了击穿电压,且工艺简单、成品率高和可靠性好,可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
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