基于预布去耦电容的片上电源噪声抑制策略

作者：高成振; 马永飞; 孙战先; 柯希明

来源：计算机工程, 2018, 44(11): 56-61.

DOI：10.19678/j.issn.1000-3428.0048888

• 去耦电容
• 电源完整性
• 电源噪声
• 片上
• 预布

去耦电容是抑制电源噪声的有效方法,为平衡去耦电容插入量与去耦电容泄漏功耗,提出一种新的预布去耦电容策略,以抑制电源噪声。在芯片物理设计的布局布线阶段之前,预先均匀地插入一定数量的去耦电容,以优化去耦电容布局并改善电源噪声。实验结果表明,采用该策略后,仅增加1%的去耦电容插入量,能够减小7. 2%的瞬态电压降,且当预布的去耦电容面积占芯片总面积的4%～6%时,能够取得较好的噪声抑制效果。