基于3D IC—TSV互连技术，提出了考虑硅通孔的温度解析模型，Matlab分析表明：在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下，考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低；在通孔直径不变的情况下，最高层芯片温度随间距P的增大而增大；在间距P不变的情况下，最高层芯片的温度随通孔直径D的减小而增大。通过热分析软件Icepak件对模型进行仿真，所得结果与Matlab仿真结果相对比，误差相差甚小，充分说明了硅通孔对芯片散热的有效性。
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