ST MASTERGAN1 650V氮化镓(GaN)晶体管半桥驱动方案

来源：世界电子元器件, 2020, (11): 40-41.

<正>ST公司的MASTERGAN1是650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护.主要用在开关电源,充电器和适配器,高压PFC,DC/DC和DC/AC转换器,UPS系统和太阳能电源.本文介绍了MASTERGAN1主要特性,框图和应用框图,以及评估板EVALMASTERGAN1主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.