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摘要
针对CS-30加速器制备高放射性核纯度111In(≥99.9%)所用富集112Cd靶的电镀工艺进行了探索,首次根据加速器束流轰击径迹(束斑)实现定向区域电镀,在此基础上,对影响富集112Cd靶质量及厚度的各种因素进行研究,确定最佳工艺条件,最终所得富集112Cd靶表面光亮、致密、牢固,厚度大于65 mg/cm2。同时初步探索了富集112Cd靶厚与产额的关系,当富集112Cd靶厚为90 mg/cm2时,111In产额为222 MBq/μA·h。
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单位辐射物理及技术教育部重点实验室; 四川大学
