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摘要
针对光致发光光谱法研究ZnTe:Ti的困难,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化.发现: (1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给出相对强的光致发光光谱; (2) 水汽干扰既影响谱线的相对强度又增大谱线能量的测定误差; (3)相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱.可靠地观察到位于3903.5和3905.9cm-1能量位置处的零声子光致发光谱线. 根据两谱线的能量间距和相对强度随温度的变化关系,并借助于晶体场理论对四面体晶体场中3d1和3d2杂质离子能级的分析, 该零声子光致发光谱线被界定为源于Ti3+的深能级跃迁, 从而获得了Ti3+存在于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的光致发光证据.
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单位中国科学院
