电场对graphene/InSe范德瓦耳斯异质结肖特基势垒的调控

作者：张芳; 贾利群; 孙现亭; 戴宪起; 黄奇祥; 李伟^*

来源：Acta Physica Sinica, 2020, 69(15): 307-314.

• 肖特基势垒
• 电场
• graphene/InSe范德瓦耳斯异质结

半导体与金属接触是制作纳电子和光电子器件时非常重要的问题,接触类型对器件的功能实现和性能影响很大.为了制备高性能多功能化器件,就必须对界面处的势垒高度和接触类型进行调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了外电场作用下graphene/In Se范德瓦耳斯异质结的电子结构.计算结果表明异质结中的graphene和In Se保留了各自的本征电子性质,在界面处形成了欧姆接触.外电场可以有效调控graphene/In Se异质结中的肖特基势垒,不但可以调控肖特基势垒的高度,而且可以调控界面接触类型.外电场还可以有效调控graphene和In Se界面电荷转移的数量和方向.

• 单位
  平顶山学院; 河南城建学院; 河南师范大学; 物理学院; 数理学院