CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

作者：蔡毓龙; 李豫东; 文林; 郭旗^*

来源：核技术, 2020, 43(01): 50-58.

• CMOS图像传感器
• 单粒子效应
• 抗辐射加固技术
• 空间辐射

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。

• 单位
  中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院大学