InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱

作者：杨新荣; 徐波; 王占国; 任芸芸; 焦玉恒; 梁凌燕; 汤晨光

来源：半导体学报, 2007, 28(z1): 457-459.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.z1.116

• InAs量子线
• InP基
• 激光器
• 激射谱

制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.

• 单位
  中国科学院半导体研究所