化学抛光对Au/Hg_3In_2Te_6接触特性的影响

作者：王一义; 傅莉; 任洁

来源：热加工工艺, 2012, (08): 135-137.

DOI：10.14158/j.cnki.1001-3814.2012.08.001

• Hg3In2Te6
• Au/MIT接触
• 化学抛光
• 反向漏电流
• I-V特性 Hg3In2Te6
• Au/MIT contact
• chemical polishing
• reverse leakage current
• I-V characteristics

采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特性的影响规律与机制,优化了MIT晶体的化学抛光工艺参数。结果表明,MIT晶片采用5%Br2-C3H7ON溶液化学抛光2 min后,MIT晶片表面元素组分更接近标准计量比,所制备出的Au/MIT接触的反向漏电流最小。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学