多层薄膜二次电子发射特性的理论研究

作者：陈凤; 郭金川; 陈泗方; 周彬

来源：深圳大学学报(理工版), 2015, 32(04): 417-421.

DOI：10.3724/SP.J.1249.2015.04417

• 薄膜物理学
• 硅基微通道板
• 二次电子发射
• 数值模拟
• 发射系数
• 薄膜厚度

为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了Si O2/Si、Al2O3/Si、Mg O/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值.

• 单位
  深圳大学