晶体硅太阳电池减反射膜的研究

作者：秦尤敏; 高华; 张剑

来源：上海有色金属, 2011, 32(04): 179-181+191.

DOI：10.13258/j.cnki.snm.2011.04.002

• 晶体硅
• 转换效率
• 等离子体增强
• 化学气相沉积
• SiN_x:H
• 减反射膜 crystalline silicon
• conversion efficiency
• plasma enhanced
• chemical vapor deposition
• anti-reflection coating

为了提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率,以及获得较佳的减反射膜的膜厚和折射率,根据计算得出的在波长为600 nm的太阳光下减反射膜的膜厚和折射率的最佳理论值,设计了三组等离子体增强化学气相沉积工艺(1#,2#和3#工艺),来制备不同膜厚和折射率的SiN_x:H(氮化硅)减反射膜。实验结果显示:1#工艺对应的膜厚为83 nm,折射率为2.01;2#工艺对应的膜厚为75 nm,折射率为2.01;3#工艺对应的膜厚为66 nm,折射率为2.02。1#工艺对应电池片的转换效率为18.00%,2#工艺对应电池片的转换效率为18.08%,3#工艺对应的转换效率为17.99%。因此在目前的生产条件下,2#镀...