VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池

作者：白晓彤; 崔晓荣; **睿^*; 周炳卿^*

来源：硅酸盐通报, 2022, 41(03): 1063-1068.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2022.03.007

• 硒化锑
• 气相转移沉积法
• 基底倾角
• 太阳电池
• 微结构
• 带隙

硒化锑(Sb2Se3)具有较高丰度及良好的光电特性，是当前热门太阳电池材料之一。目前，在Sb2Se3的多种制备方法中，气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb2Se3薄膜的影响因素有多种，如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb2Se3薄膜，对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小，同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长，在基底倾角为90°时，薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1 100 nm的范围具有最低的反射率，在该角度下制备的FTO/CdS/Sb2Se3/C器件获得了2.38%的转换效率。

• 单位
  内蒙古师范大学