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摘要
磁光克尔效应是指处于磁场中的光束在磁体表面发生反射时，反射光的偏振面相对入射光发生旋转的物理现象，它反映了磁化强度对磁性材料光学性质的影响。磁性介质的磁光克尔效应则由含磁光常数的介电张量表征，因此对磁光常数进行精确测量具有重要的科学意义。光子自旋霍尔效应表现为光束在折射率不同的介质界面上传输时由于自旋-轨道相互作用而产生的光子自旋分裂现象。过去大多数研究利用光子自旋霍尔效应的横向空间位移来表征磁光常数。然而，现有工作只考虑了单个磁场方向的磁光克尔效应，并且由于微小的自旋空间位移而需要引入复杂的弱测量技术。本文从理论上全面探究了三种磁光克尔效应条件下的面内自旋角位移，发现通过改变磁场方向和磁性材料的厚度（考虑块状和超薄）可以实现对光子自旋霍尔效应的有效操纵。同时，该研究提出了一种直接测量磁光常数的新方法，即通过直接观测巨大的面内自旋角位移来表征磁光常数的振幅与相位。该方法不需要引入弱测量系统，不仅为磁光常数的测量提供了直接有效的探针，并且扩展了自旋光子学的相关研究。
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