摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法。该薄膜晶体管包括:衬底;栅极;栅极绝缘层;有源层,有源层位于栅极绝缘层背离栅极的表面,有源层包括源区、漏区以及沟道区;第一钝化层,第一钝化层位于有源层背离栅极绝缘层一侧的表面,第一钝化层设置有第一凹槽和第二凹槽,在平行于衬底的方向上,第一凹槽和第二凹槽邻近沟道区的侧壁与沟道区间隔第一预设距离,第一预设距离大于或等于0.3微米,且小于或等于3微米;漏极和源极位于第一钝化层背离有源层一侧的表面。本发明实施例提供的技术方案降低了薄膜晶体管中,有源层的沟道区的预设长度和实际长度之间的差距。
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