基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器

作者：蔡道林; 陈后鹏; 王倩; 丁晟; 富聪; 陈一峰; 宏潇; 李喜; 陈小刚; 刘波; 宋志棠; 封松林

来源：固体电子学研究与进展, 2011, (06): 601-605.

• 相变存储器
• 互补型金属氧化物半导体电路
• 疲劳特性 phase change random access memory
• CMOS circuit
• endurance characteristics

采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所