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摘要
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜(AZO)。为了降低AZO薄膜的电阻率,采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理,并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明:在低温条件下,氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为100℃的低温条件下,通过调节溅射气氛中H2的比例,制备了电阻率为6.0×10-4Ω.cm的高质量氢化AZO薄膜,该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3;但随着衬底温度的升高,氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。
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单位哈尔滨工业大学深圳研究生院
